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- GaN FET 的关键参数
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- GaN 晶体管的命名法、类型和结构
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- 在 GaN 功率开关基础知识视频的第 1 部分中,我们将简要介绍 GaN 的优点、GaN 晶体管命名法、GaN FET 的类型和基本结构。
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- GaN FET 技术比较
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- 本视频将简要介绍 GaN,展示 GaN 与其他技术的比较,介绍一些可带来优势的功能,并告诉您如何利用 GaN 的优势。
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- 基于 SiC 的三级三相并网逆变器
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- 应用:串式逆变器、中央逆变器、电动汽车充电站、企业级存储系统(数据中心)、UPS 产品优势:通过 AM2634 controlCARD 实现数字电源控制,在 3us 内即可完成执行闭环数字控制。基于 SiC MOSFET 的 TNPC 逆变器可实现高效率并缩小尺寸。
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- TIDA-010216 - 基于BQ76952的低压家庭储能电池管理系统
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- 标签: BQ76952 家庭储能 电池管理 MOSFET 电池监测器
- 本参考设计是一个 16 节三元锂/磷酸铁锂电池串的低侧 N 沟道 MOSFET 控制的电池包参考设计,带有 BQ76952 电池监测器。它能够非常精确地监控各个电芯的电压和温度、电池包电流和 MOSFET 温度,并防止锂离子/磷酸铁锂电池包出现电芯过压、欠压、过热、充放电过流以及放电短路现象。它采用低侧 N 沟道 MOSFET 架构,具有强大的驱动开关能力,带有 5A 双通道驱动器 UCC27524。通过精心设计的辅助电源控制策略和高效低静态电流DC/DC转换器 LM5163,本参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗,因此能够节省更多能源并允许更长的运输时间和空闲时间。