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氮化镓 (GaN) IC

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GaN HEMT答疑

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GaN HEMT答疑

所属课程:电源工程师培训授证项目系列培训-GaN HEMT 器件的研究现状、特点及应用 发布时间:2024.03.19 视频集数:10 本节视频时长:00:16:25

氮化镓 (GaN) 是一款宽带隙半导体,与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比,它可以实现更高的功率密度和效率。

这次直播将会介绍氮化镓 HEMT 器件的发展历程,特点以及应用实例等。

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